در اين اختراع يك ترانزيستور اثر ميدان نيمه رساناي اكسيد فلزي با تكنولوژي سيليكون بر روي نارسانا (SOI MOSFET) نوين نشان داده شده است. دگرگوني در پراكندگي بار الكتريكي ساختار پيشنهادي، باعث تجمع كم تر ميدان الكتريكي و افزايش ولتاژ شكست شده است. براي بهبود پراكندگي بار الكتريكي، يك افزاره ي فلزي به نام BULK در بخش اكسيد مدفون ترانزيستور SOI MOSFET به نام BOX به كار گرفته شده است. به عنوان مشكل، اثر بدنه ي شناور و اثر يونيزاسيون باعث پيدايش حفره هاي بيش تر مي شود كه در ترانزيستورهاي SOI بيش تر هم شده و باعث كاهش كاركرد ترانزيستور مي شود. در ساختار پيشنهادي پنجره اي از نيمه رساناي سيليكون زير بخش كانال به گونه اي جاسازي شده كه اكسيد مدفون در زير بخش كانال نازك تر شده است. اين پنجره ي سيليكوني براي كاهش تجمع حفره در كانال به كار گرفته شده است. ويژگي هاي جريان مستقيم (DC) و فركانس راديويي (RF) ساختار پيشنهادي به كمك شبيه سازي دو بعدي عددي بررسي شده اند و با SOI MOSFET ساده سنجيده شده اند. دست آوردهاي شبيه سازي شده نشان داده اند كه ساختار پيشنهادي تاثير خوبي روي ولتاژ شكست اين افزاره داشته و جريان درين آن افزايش يافته است؛ همچنين افزايش چشمگيري در بيشينه ي چگالي توان خروجي به دست آمده است كه براي افزايش بسيار در ولتاژ شكست و جريان درين بوده است؛ همچنين ساختار پيشنهادي باعث بهبود بيشينه ي فركانس نوسان و بيشينه ي بهره ي موجود شده است؛ همچنين اثر خودگرمايي كم تر شده و كاربردهاي SOI MOSFET را در دماهاي بالا گسترش مي دهد. به عنوان نتيجه، ساختار ترانزيستور پيشنهادي داراي كاركرد برتر الكتريكي در برابر ترانزيستورهاي همانند با ساختارهاي ديگر بوده است.